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外延生长的基本参数之一是基片温度，对于基片与薄膜材料之间，都有一个临界外延温度，高于此温度的外延生长是良好的，而低于此温度的外延生长则是不完善的。此外，生长速率R与基片温度T有关。   

如吸附原子在与另一个原子碰撞结合之前能进人稳定的平衡位置，外延便能顺利进行.显然基片温度升高会促进外延生长，它使表面原子具有更多的机会到达平衡位置，使表面扩散和体扩散都增强，结晶过程变得较容易进行.从而促进了单晶薄膜的生长。

基片的晶体结构对于外延薄膜的结构及取向有着十分重要的影响，同质外延时两者的结构是一样的，异质外延时两者的结构也密切相关。异质外延时常用失配度来描述基片结构与薄膜结构的关系。