欢迎访问扬州欣达电子有限公司网站! 关于我们 联系我们

专注于薄膜开关,薄膜面板等研发与生产

安全省心,有效控制成本

img

咨询电话:

0514-86859177

img

咨询电话:

13805251384

您的位置:首页 > 新闻资讯 > 技术文章
PRODUCT CENTER
产品中心
行业资讯
企业动态
技术文章
咨询热线

0514-86859177

技术文章

薄膜的成核阶段

在透射电子显微镜观察到的薄膜形成过程照片中,能观测到最小核的尺寸约为20A~30A左右。在核进一步长大变成小岛过程中,平行于基片表面方向的生长速度大于垂直方向的生长速度。这是因为核的生长主要是由于基片表面上吸附原子的扩散迁移碰撞结合,而不是入射蒸发气相原子碰撞结合决定的。这些不断捕获吸附原子生长的核逐渐从球帽形、圆形变成多面体小岛。对于岛的形成可用热力学宏观物理量如表面自由能,也可用微观物理量如结合能来判别。