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   在洁净的环境下制备薄膜，是保证薄膜质量的关键技术之一。净化间的定义最初是由美国开发的联邦标准209版(Federal Standard 209)。后来发展为以单位体积中存在一定直径以上的颗粒数为基础的净化间级别的定义。净化间级别的米制版如表4一18所列。图4一19的纵坐标表示单位体积中的粒子数，右边对应英制，左边对应米制。按照联邦标准209E，每立方英尺中0.5μm以上的粒子数100个、10000个、100000个分别对应于FS100, FS10000和FS100000。这就是我们常用到的100级、10000级和100000级。
   随着对净化间的要求越来越高，对净化间标准规定的越来越细。近年来，规定按每立方米中0.1μm以上的粒子数，分别对应为新1级(10个)、新2级(100个)、新3级(1000个)、新4级(10000个)等，见图4一20的左边.
   在薄膜制备中，采用什么环境最合适。需要根据具体情况而定。如对于半导体、集成电路等的薄膜制作，应该在新5级(FS100)一新6级(FS1000)的洁净室进行基片清洗，在优于新3级(FS1)的洁净环境中进行镀膜。因此，必须从制备薄膜的需要来确定清洁度和设计工作间。