欣达电子：控制原子排列的
薄膜开关
薄膜开关一般采用高精密度膜厚度测定仪，以0. 1人一1人/秒慢速度进行蒸汽沉积，就可能在垂直方向以原子水平合成可控制结构物质。特别对于不同成分的薄膜开关能以不到几十人厚度进行有规则堆积的多层化物质，从而能得到按人为规律设计的物质—人造晶格物质。人造晶格与半导体电子工业有着密切关系，曾利用分子束外延法等进行研究，十分活跃。采用真空蒸汽沉法也可制成人工晶格膜.
人工晶格可分成二大类。一类是沉积层物质具有各自大小和同一结构(以结晶或无定形)作为沉积层薄膜开关整体，制成人为周期性结构组成的膜。另一类是周期性沉积层物质不完全是新的结构。
用真空蒸汽沉积法合成氧化物人工晶格的例子有CoO/NiO沉积层，NiO/Fe3 0;沉积层和CoO/Fe3O:沉积层以大于100人为周期沉积层膜，各自具有不同大小和同样结构的多层膜。以小于几十入为周期制成具有不同大小和不同品格常数的新结构人工晶格膜。用真空蒸汽沉积法还制得了Fe/Sb沉积层和Fe/Mg沉积层的人工金属晶格膜。
